VLSI FABRICATION PRINCIPLES : SILICON AND BALLIOM ARSENIDE/
GHANDI, SARAB K.
VLSI FABRICATION PRINCIPLES : SILICON AND BALLIOM ARSENIDE/ S.K. GHANDI. - NEW YORK: JOHN WILEY 1983 - X, 665 P. 15 CM.
INCLUYE BIBLIOGRAFIA E INDICE.
0-471-86833-7
1.CIRCUITOS INTEGRADOS(VLSI).
2.ARSENITO DE GALIO.
3.SILICIO.
621.38171 G43
VLSI FABRICATION PRINCIPLES : SILICON AND BALLIOM ARSENIDE/ S.K. GHANDI. - NEW YORK: JOHN WILEY 1983 - X, 665 P. 15 CM.
INCLUYE BIBLIOGRAFIA E INDICE.
0-471-86833-7
1.CIRCUITOS INTEGRADOS(VLSI).
2.ARSENITO DE GALIO.
3.SILICIO.
621.38171 G43
