Universidad Autónoma de Occidente

VLSI FABRICATION PRINCIPLES : SILICON AND BALLIOM ARSENIDE/

GHANDI, SARAB K.

VLSI FABRICATION PRINCIPLES : SILICON AND BALLIOM ARSENIDE/ S.K. GHANDI. - NEW YORK: JOHN WILEY 1983 - X, 665 P. 15 CM.

INCLUYE BIBLIOGRAFIA E INDICE.

0-471-86833-7


1.CIRCUITOS INTEGRADOS(VLSI).
2.ARSENITO DE GALIO.
3.SILICIO.

621.38171 G43
Carretera Panamericana Km. 1080, C.P. 29050, Apartado Postal: 599,
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