| 000 | 00704 a2200253 4500 | ||
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| 001 | ITTG4461 | ||
| 003 | OSt | ||
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| 008 | 241215s1983 |||||||||||||||||| #d | ||
| 020 | _a0-471-86833-7 | ||
| 040 |
_aITTG _cITTG |
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| 041 | _aspa | ||
| 082 | _a621.38171 G43 | ||
| 100 | _aGHANDI, SARAB K. | ||
| 245 |
_aVLSI FABRICATION PRINCIPLES : _bSILICON AND BALLIOM ARSENIDE/ _cS.K. GHANDI. |
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| 260 |
_aNEW YORK: _bJOHN WILEY _c1983 |
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| 300 |
_aX, 665 P. _c15 CM. |
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| 500 | _aINCLUYE BIBLIOGRAFIA E INDICE. | ||
| 562 | _e1 | ||
| 650 | _a1.CIRCUITOS INTEGRADOS(VLSI). | ||
| 650 | _a2.ARSENITO DE GALIO. | ||
| 650 | _a3.SILICIO. | ||
| 942 |
_2ddc _c1 _e20090813 14:23:14 |
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| 999 |
_c4340 _d4340 |
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